MGD623N

MGD623N NPN Transistör ÖzellikleriMGD623N, yüksek performanslı bir NPN transistördür. Genellikle amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde kullanılan bu transistör, güvenilir çalışma ve yüksek verimlilik sunar. Temel Özellikleri:Tip: NPNModel: MGD623NPaket: TO-92Özel Özellikler:Yüksek kazanç (hFE)Düşük gürültü seviyesiHızlı anahtarlama özelliğiDüşük doyum voltajıGeniş çalışma sıcaklığı aralığı Teknik Özellikler:Kolektör-Baz Voltajı (VCBO): 60VKolektör-Emitör Voltajı (VCEO): 50VEmitör-Baz Voltajı (VEBO): 5VKolektör Akımı (IC): 500mAGüç Dissipasyonu (PD): 625mW Uygulama Alanları:Amplifikasyon devreleriAnahtarlama devreleriOsilatör devreleriGüç yönetimi devreleriEndüstriyel kontrol sistemleriOtomotiv elektroniği MGD623N transistör, elektronik devrelerde güvenilir performans sunan yüksek kaliteli bir bileşendir. Düşük gürültü seviyesi ve yüksek kazanç özellikleri sayesinde hassas amplifikasyon uygulamaları için idealdir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı ve dayanıklı yapısı ile zorlu endüstriyel ortamlarda bile güvenle kullanılabilir.