IPP200N15N TO-220 Mosfet Transistör

IPP200N15N TO-220 N-Kanal Mosfet Transistör Özellikleri IPP200N15N, yüksek güçlü N-kanal MOSFET transistördür. TO-220 paketinde üretilen bu güç transistörü, yüksek akım ve voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. Düşük direnç ve yüksek verimlilik özellikleri ile güç elektroniği uygulamalarında tercih edilir. Temel Özellikleri: Model: IPP200N15N Tip: N-Kanal MOSFET Paket: TO-220 Özel Özellikler: Düşük RDS(on) direnci Hızlı anahtarlama özelliği Yüksek güç kapasitesi Düşük güç kaybı Termal koruma özelliği Teknik Özellikler: Drain-Source Voltajı (VDS): 150V Gate-Source Voltajı (VGS): ±20V Sürekli Drain Akımı (ID): 200A Drain-Source Direnci (RDS(on)): 2.5mΩ Güç Dissipasyonu (PD): 300W Çalışma Sıcaklığı: -55°C ~ +175°C Uygulama Alanları: Güç kaynakları DC-DC dönüştürücüler Motor sürücüleri Endüstriyel güç sistemleri UPS sistemleri Solar invertörler Elektrikli araç şarj sistemleri IPP200N15N MOSFET transistör, yüksek güç uygulamaları için tasarlanmış güvenilir bir çözümdür. Düşük RDS(on) direnci sayesinde minimum güç kaybı sağlar ve yüksek verimlilik sunar. Hızlı anahtarlama özelliği ve termal koruma mekanizması ile zorlu endüstriyel ortamlarda bile güvenle kullanılabilir.