Ürün Açıklaması

  • Teknik Özellikler:
  • Maks. kolektör-emitter gerilimi: (V<sub>CE</sub>) 1200 V
  • Sürekli kolektör akımı: (25 °C) 75 A
  • Sürekli kolektör akımı: (100 °C ortamda) 40 A
  • Pulsed (tekil) kolektör akımı: 105 A (tp sınırlı)
  • Maks. güç dağılımı: (TC = 25 °C) 270 W
  • Maks. gate-emitter gerilimi: (V<sub>GE</sub>) ± 20 V
  • Kısa devre dayanma süresi: (short-circuit withstand time) 10 µs (V<sub>GE</sub>=15 V, VCE ≤ 1200 V, Tj ≤ 150 °C)
  • Çalışma sıcaklığı: (junction) - 40 °C + 150 °C
  • Diğer Özellikler & Avantajlar
  • Düşük VCE(sat) değeri: Bu, iletim sırasında düşen voltajı ve dolayısıyla güç kayıplarını azaltır. 
  • Düşük gate-charge ve hızlı anahtarlama (low switching losses) - bu da anahtarlama (switching) devreleri için avantaj sağlar. 
  • Pozitif sıcaklık katsayısı (positive temperature coefficient) - bu sayede birden çok IGBT paralel bağlandığında akım paylaşımı daha stabil olur. 
  • Düşük EMI (elektromanyetik girişim) - özellikle güç elektroniği uygulamaları için önemlidir.
  • Bu IGBT / güç transistörü genellikle aşağıdaki uygulamalarda tercih edilir:
  • Frekans konvertörleri (inverter / sürücü devreleri).
  • UPS (kesintisiz güç kaynakları) ve güç kaynaklı cihazlar.
  • Motor kontrol devreleri, inverterler, endüstriyel elektronik devreleri vb. yüksek voltaj / akım gerektiren güç devreleri.
  • Yüksek Dayanıklılık: Kısa devre dayanımı ve geniş güvenli çalışma alanı (SOA) ile zorlu koşullar altında bile güvenilirliğini korur.
  • Entegre Hızlı Diyot: Hızlı ve yumuşak toparlanma özelliğine sahip entegre bir anti-paralel diyot içerir.
  • Endüstri Standardı Kılıf: TO-247 kılıfı, iyi termal yönetim ve mevcut tasarımlarla uyumluluk sağlar.

Ürün Özellikleri